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    真空离子镀膜技术分析
    发布时间:2014-09-11 浏览:  次

      真空离子镀膜技术(简称离子镀)是由美国Sandin公司的D.M.Mottox开发的将真空蒸发和真空溅射相结合的一种新镀膜技术。

      离子镀技术的一个重要特征是在基片上施加负偏压,用来加速离子,增加调节能量。

      负偏压的供电方式,除传统的可调直流偏压外,近年来,又引入了高频脉冲偏压技术。脉冲的频率、幅值、占空比可调,有单极脉冲,也有双极脉冲。

      这样可使偏压和基片温度参数分别控制。

      在基体上施加偏压,可产生更大的电场力,使等离子体中部分正离子加速到达基片上轰击和沉积。

      即利用气体放电产生等离子体,通过碰撞电离,除部分工作气体电离外,使膜材原子也部分电离,同时在基片上加负偏压,可对工作气体和膜材的电离离子加速增加能量,且吸引它们到达基片;一边轰击基片,一边沉积,这对膜的品质、性能均有较大改善。这是离子镀技术最突出的特点。

      离子镀与蒸发镀、溅射镀的本质区别是前者在基片上施加负偏压,后者在基片上未加负偏压。

      因此,在前面讲述过的各种蒸发镀、溅射镀技术中,若能在基片(导电基材)上施加一定幅值的直流或脉冲负偏压,便可使其变成蒸发离子镀、溅射离子镀,统称离子镀。

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